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<P>Description d'un semi-conducteur à émission de lumière dans lequel une jonction p-n est délimitée par un canal qui s'étend soit à une couche à résistance faible soit loin de celle-ci à plus de la moitié de la largeur du canal. Il a le mérite que l'échantillon de champ proche soit beaucoup plus uniforme que dans un appareil classique.</P>
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