| 主权项 |
1.一种混式RF相位移位计,其特征为包括:RF相移计,具有沿着导电导波管之相对端部间之长度方向之轴设置之介质乎板,该相移计经由至少位于该导波管之端部之一之阻抗匹配转移器串接于微波传输带RF传送线。2.如申请专利范围第l项之相移计,其中,该RF相移计包括:一对轴间的细长之铁酸盐磁体磁性环,该介质平板固定在其间,该导电导波管系由混合之环一平板一环结构之最外部表面之金属化体所形成;及导电闩锁线,穿过环之开口中心,以便将环中之剩余磁通设定于预设之数値。3.如申请专利范围第1或2项之相移计,其中,各阻抗匹配转移器包括从微波传输带传送线之终端沿着并接触于各介质平板之端部垂直的延伸之导电探针。4.如申请专利范围第3项之相移计,其中又包括导电端帽,可导电的连接于导波管之各端部,该端帽在波导管之各端部封闭探针,并且介定探针与端帽间之电容间隙尺寸,以便完成导波管与微波传输带RF横态间之匹配阻抗转移。5.如申请专利范围第4项之相移计,其中又包括U型介质间隔器,位于导波管之各端部,其脚部朝向长度方向延伸至导波管中,而其耳部位于各探针与端帽之间。6.如申请专利范围第1项或第2项之相移计,其中,各阻抗匹配转移器包括导电连接器,可导电的耦接于微传输带线导波管之间,邻接于介质平板之点。7.如申请专利范围第6项之相移计,其中,该导电连接器包括一端电容式的耦接于微波传输带线而另一端耦接于导波管之带构件。8.如申请专利范围第6项之相移计,其中,导波管之两端位于具有1导电接地平板表面及上面形或有微波传输带传送线之第2表面之介质基部之邻接端部之间;该基体之第1导电接地平板表面可导电的耦接于该邻接导波管之另一端部及一侧;该基质之厚度小于导波管之厚度;各导电连接器界定该连接器与介质平板之各曝露端间之预设之间隙G。9.如申请专利范围第8项之相移计,其中,导电连接器包括带构件,其一端电容式的耦接于微波传输带线,而另一端导电式的耦接于导波管。10.如申请专利范围第8项之相移计,其中,该间隙G之形状为矩形。11.如申请专利范围第9项之相移计,其中包括分立式晶片电容器,固定在各微波传输带传送线上离开介质平板一预设距离。12.如申请专利范围第11项之相移计,其中,各电容器之电容为0.3pf。13.一种混合式RF相位移位计,其特征为包括:导波管相移计,具有2个端部;第1微波传输带线;第1阻抗匹配耦接器,耦接于第l微波传输带线与导波管相移计之一端之间;第2微波传输带线;及第2阻抗匹配耦接器,耦接于第2微波传输线带与导波管相移计之另一端之间。14.一种混合式RF相位移位计,其特征为包括:介质基体,一侧具有导电接地平板表面;导波管相移计,具有固定于接地平板表面之金属化表面;孔部,经由接地平板导电表面及邻接于导波管相移计之端部延伸;导电微波传输带传送线,位于基体之另一侧而分别终止于该孔部;及导电探针,经由各孔部延伸并分别电连接于终止该处之导电微波传输带传送线。15.如申请专利范围第14项之相移计,其中,各探针装设在导波管相移计之中心线上。16.如申请专利范围第14项之相移计,其中又包括金属端帽,分别固定在导电接地平板表面及导波管之金属化表面,以便可电的封闭导电探针,并且协助在探针与导波管相移计之间形成匹配阻抗耦接电容。17.如申请专利范围第16项之相移计,其中又包括U型介质线导引器,分别装设在端帽与探针之间。18.如申请专利范围第16项之相移计,其中,探针系位于垂直基体而且延伸至离开端帽一预设距离之位置,以便形成决定耦接电容之间隙G。19.一种混合式RF相位移位计,其特征为包括:基体,由介质材料制成;形成于基体之一侧上之金属化表面;一对轴向伸长而平行之铁酸盐磁体环,装设在该金属化表面上t平板,由分材料制成,装设在该等环之间;金属盖位于环及平板之曝露表面上,让金属盖电接触于金属表面;孔部,设在金属表面及基体上分别邻接于平板之相对端;分开之金属微波传输带传送线,形成于相对于金属化表面之基体之一例上,该线分别终止于孔部;导电探针,分别装设成电接触于该线之终止端而且经由邻接于平板端部之孔延伸;及电流导体。分别经由环轴问的延伸。20.一种混合式RF相位移位计,其特征为包括:矩形导波相移计,具有金属外表面;一对平板状介质基体,其各一表面可导电,各另一表面具有狭小之导电条片,各基体之高度小于导波管相移计之高度;该基体邻接于导波管相移计相对端,而其导电表面电连接于矩形导波管相移计之一侧之金属外表面;电容元件,各装设于基体之狭小导电条片中上离开导波管相移计之各端部之位置;导电带,分别悬挂在电容元件与导波管相移计之金属外表面之间。21.如申请专利范围第20项之相移计,其中,导波管相移计包括装设在金属外面之2个铁酸盐磁体环;由介质材料制成之平板,装设在该等环之间而接触于第1表面;该导电带在邻接于平板之点接触于金属外表面。22.一种混合式RF相位移位计,其特征为包括:平行之2个铁酸盐磁体环,具有矩形截面;由介质制成之平板,接触于环之邻接侧;导电表面,在环及平板之外侧;2个微波传输带传送线,各包括一个平板介质基体,其中一个表面可导电,另一表面具有狭小导电条片,基体之厚度小于环之厚度;该微波传输带传送线邻接于环之相对端部,环之第1侧之导电表面电接触于平板之导电表面;电容元件,各装设在微波传输带传送线之狭小导电条片上与环之端部分开;导电带,悬挂在电容元件与邻接于平板之导电表面之间。23.如申请专利范围第22项之相移计,其中,导电带可导电的附设在微波传输带之狭小电条片上,并且电容式的耦接于邻接于高介质平板之导波管之导电表面上。24.一种可变RF除法器,其特征为包括:介质基体:固定有微波传输带之第1功率除法器/混合器,装设在基体上,该第1除法器/混合器具有输入/输出微波传输带导线及2个输出/输入微波传输带导线;固定有微波传输带之第2功率除法器/混合器,装设在基体上,具有2个输入/输出微波传输带导线及2个输出/输入微波传输带导线;第1及第2混合式RF相移计,如申请专利范围第1.13.14.19.20、21或22项所述,该第l混合式相移计连接在第l除法器/混合器之1个输出/输入导线与第2除法器/混合器之l个输出/输入导线之间;该第2混合式RF相移计连接在第1除法器/混合器之另一输出/输入导线与第2除法器/混合器之另一输入/输出导线之间。图示简单说明:第l图为本发明第l实施例之底面透视图。第2图为第1图之上面图。第3图为第l及第2图所示装置之一端之截面图,第4图为第l图之微波传输带及导波传送媒体之等效RF电路图。第5图为本发明实施例之透视图。第6图为第5图之端部图,第7图为第5图之侧面图,第8图为本发明之平板状电路可变功率除法器之上部图,第9图为第8图之侧视图 |
