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La présente invention concerne un procédé pour diffuser sélectivement de l'aluminium dans un corps en silicium. Selon l'invention, on forme une couche formant masque comprenant une couche de dioxyde de silicium 14 et une couche de silicium polycristallin 16 sur une surface 12 du corps 10; on forme une ouverture 18 dans au moins la couche 14 pour définir ainsi une partie masquée et une partie non masquée de la surface 12; on soumet le corps 10, comportant la partie non masquée de la surface 12 et la partie masquée de la surface 12, à une source d'impuretés d'aluminium; et on diffuse l'aluminium à travers l'ouverture 18 et dans le corps 10 pour former une région diffusée d'aluminium 20 dans le corps 10. L'invention s'applique notamment aux semi-conducteurs devant fonctionner à haute tension.
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