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Procédé de fabrication de transistors bipolaires et de transistors à effet de champ sur la même plaquette semi-conductrice, isolés par des régions diélectriques.Le procédé comprend le décapage d'ouvertures appropriées dans le substrat silicium 10 pour former les régions d'isolation 54, 55 et 57 qui séparent les dispositifs à effet de champ tels que 50 des dispositifs bipolaires 52. Les dispositifs sont du type NPN à socle et ils comprennent un collecteur 36, une base 34 et un émetteur 83, ce dernier est formé simultanément avec les régions source et drain 66 et 67 des dispositifs à effet de champ.Ce procédé qui évite l'utilisation d'une couche épitaxiale est d'application intéressante à l'industrie des semi-conducteurs.
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