DIODE SEMICONDUCTRICE UTILISANT LE TEMPS DE TRANSIT DES PORTEURS DE CHARGE, POSSEDANT UNE ELECTRODE A MATRICE DE MICROPOINTES

摘要

L'invention a pour but d'augmenter le rendement de diode semiconductrices utilisant le temps de transit de porteurs de charge électriques en milieu semiconducteur. A la surface libre, soit du côté opposé au substrat d'une diode comportant au moins une couche active à taux de dopage uniforme, on dépose, par exemple par évaporation, un métal tel que l'or dans une matrice de cuvettes creusées dans une couche isolante et pénétrant dans la couche active. Il en résulte une augmentation du rendement due en particulier à la diminution de la tension d'avalanche. L'invention est applicable aux diodes oscillatrices et amplificatrices en hyperfréquence.