| 发明名称 |
PROCEDIMIENTO PARA FABRICAR FOTODIODOS DE HETEROUNION. |
| 摘要 |
<p>Procedimiento para fabricar fotodiodos de hererounión, del tipo que comprenden una capa de fosfuro de indio de tipo p y una capa de sulfuro de cadmio de tipo n;</p> |
| 申请公布号 |
ES457439(A1) |
申请公布日期 |
1978.03.01 |
| 申请号 |
ES19390004574 |
申请日期 |
1977.04.01 |
| 申请人 |
WESTERN ELECTRIC COMPANY INCORPORATED |
发明人 |
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| 分类号 |
H01L31/04;H01L21/205;H01L31/072;H01L31/10;H01L31/18;(IPC1-7):H01L/ |
主分类号 |
H01L31/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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