PROCEDE DE FABRICATION PERMETTANT DE MINIMISER LES CONDUITS ENTRE DEUX REGIONS SEMI-CONDUCTRICES DE TYPE DIFFERENT

摘要

Procédé amélioré de fabrication de dispositifs semi-conducteurs. Ce procédé comprend l'introduction de sites de nucléation 19 au moins dans la portion de la région base de type P 13 d'un dispositif NPN, destinée à recevoir ultérieurement la région émetteur (non représentée). Ces sites de nucléation sont alors convertis en boucles de dislocations de faibles dimensions qui réduisent le nombre de conduits susceptibles de se produire entre l'émetteur et le collecteur 12 dudit dispositif. L'introduction se fait de préférence par l'implantation d'ions << non dopant >> tels que l'argon. Ce procédé permet l'amélioration de la fiabilité de tels dispositifs. Application à la fabrication de dispositifs intégrés à semi-conducteurs.