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发明名称 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE BASE D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
摘要
申请公布号 FR2335047(A1) 申请公布日期 1977.07.08
申请号 FR19760035602 申请日期 1976.11.25
申请人 SATO YOSHIO 发明人
分类号 H01L23/12;H01L21/48;H01L23/04;H01L23/049;H01L23/492;(IPC1-7):01L23/02 主分类号 H01L23/12
代理机构 代理人
主权项
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