发明名称 | 由多晶物质形成微米级结构 | ||
摘要 | 本申请公开了一种利用常规多层结构形成微米级功能部件的方法。所述方法通常需要形成包括一个多晶层(12)和至少一个约束层(14)的多层结构(10)。对多层结构加工图案,形成第一结构(16)和第二结构(18),所述第一和第二结构均包括多晶层和约束层。随后局部加热至少第一结构(16),在加热过程中,约束层限制第一结构的多晶层的热膨胀。从而,在第一结构的多晶层中产生应力,导致从第一结构的边缘开始的基本二维的晶粒生长。充分的晶粒生长产生第三结构(20),基于多晶层的晶粒尺寸的该第三结构(20)是纳米级结构。当被恰当地成形时,纳米级结构可形成为电气、机械、光学和流体处理装置的工作组件。 | ||
申请公布号 | CN1636269A | 申请公布日期 | 2005.07.06 |
申请号 | CN01806412.4 | 申请日期 | 2001.03.13 |
申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 穆尼尔·那伊姆;劳伦斯·克莱芬格 |
分类号 | H01L21/285 | 主分类号 | H01L21/285 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李德山 |
主权项 | 1、一种形成电气、机械、光学或流体处理装置的方法,所述方法包括下述步骤:在基体上形成多层结构,所述多层结构包括一个多晶层和至少一个约束层,多晶层包括尺寸分布由平均晶粒尺寸表征的晶粒;对多层结构加工图案,形成至少一个第一结构和一个第二结构,第一结构和第二结构均包括所述多晶层和至少一个约束层,第一和第二结构具有图案边缘;局部加热至少所述第一结构,所述至少一个约束层限制第一结构的多晶层的热膨胀,从而,在多晶层中产生的应力导致从所述第一结构的图案边缘开始的基本二维的晶粒生长,产生第三结构,所述第三结构是所述装置的工作组件。 | ||
地址 | 美国纽约 |