互补式金氧半导体元件及其制造方法

摘要

一种CMOS，包括：具有第一主动区与第二主动区之基底；分别配置于第一、第二主动区之基底上的第一、第二闸极结构；分别配置于第一、第二闸极结构之侧壁的第一、第二间隙壁结构；分别配置于第一、第二闸极结构侧边之基底中的第一、第二LDD；配置于第一主动区之基底中，且位于第一LDD侧边之磊晶材料层；以及保护层，其配置于第一闸极结构、第一间隙壁结构以及第一LDD上，且覆盖住第二主动区，其中保护层为含碳之氧-氮化物层。