| 主权项 |
1.一种用以制造半导体装置之方法,包括下 列各步骤:形成有源装置区域在含有一种半导体材料之基质中,并使此等区域与金属之一个区域呈电之接触,其特征为:至少一部份的此等区域系由包含经Fe掺杂之A 的材料所形成,因此,将经Fe掺杂之A 材料的拉伸屈服强度,相对于以0.5原子%Cu所掺杂之铝所获得者,增加至少15%。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中, 经Fe掺杂之A 材料包含:以至多5原 子%之铁所掺杂之铝。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中, 铝包括矽。4.一种半导体装置,包括一基质(其中包含 包括有源区域之一种半导体材料),并具有电之互连在各有源区域间,其特征为: 至少一部份互连物系以包含经Fe掺杂之 A 的材料所造成,因此将经Fe掺杂之 A1材料的抗接强度,相对于以0.5原子 %Cu所掺杂之铝所获得者,增加至少15%。5.根据申请专利范围第4项之装置,其中, 经Fe掺杂之A 包含:以至多0.5原子 %铜所掺杂之铝。6.根据申请专利范围第4项之装置,其中, 铝包括矽。 |
