复合半导体装置

摘要

复合半导体装置具有发光元件部1及保护元件部2。发光元件部1由p型半导体基板3、发光半导体区域7、及第1及第2电极8、9构成。保护元件部2由p型半导体基板3之外周部分及发光半导体区域7之侧面17上介由绝缘膜10被配置的n型半导体薄膜11构成。n型半导体薄膜11系与p型半导体基板3呈pn接触形成保护二极体。依此则，可达成具有发光元件与保护元件之复合半导体装置之小型化。