发明名称 |
Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
摘要 |
The method for making a single crystal silicon contact for integrated circuits is described. The epitaxial contact is self-patterning and is formed by coherent growth on a surface of monocrystalline silicon for protecting and contacting said surface. |
申请公布号 |
DE2149766(A1) |
申请公布日期 |
1972.04.13 |
申请号 |
DE19712149766 |
申请日期 |
1971.10.05 |
申请人 |
MOTOROLA INC. |
发明人 |
REGINALD BURGESS,RONALD |
分类号 |
H01L21/00;H01L21/285;H01L23/29;H01L23/485 |
主分类号 |
H01L21/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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