| 主权项 |
1.一种晶圆研磨定位环之改良结构，其特征在于包含基部与研磨部；其中，基部，系为具有一定厚度之环状态样物，该基部之上方形成有一锁固面，锁固面上设置有定位孔，该基部之下方系形成有一结合面，结合面上设置有接合孔，该接合孔可用以接设锁固接合元件；研磨部，系为具有一定厚度之环状态样物，该研磨部之上方为一结合面，结合面上设置有导入孔，导入孔外缘延伸出鸠尾槽，该研磨部系藉由导入孔与所述基部接设之接合元件相连定位，该研磨部的下方则系为一研磨面。2.依据申请专利范围第1项所述的晶圆研磨定位环之改良结构，其中，基部与研磨部之间的接合元件可为平头螺丝，该平头螺丝设置于基部之接合孔，平头螺丝的顶部与接合孔的外缘面之间，系会形成有一适当间隙导入研磨部之导入孔中，并滑移至鸠尾槽卡掣。3.依据申请专利范围第1项所述的晶圆研磨定位环之改良结构，其中，基部与研磨部之间的接合元件可为沉孔螺栓，该沉孔螺栓设置于基部之接合孔，沉孔螺栓的顶部与接合孔的外缘面之间，系会形成有一适当间隙导入研磨部之导入孔中，并滑移至鸠尾槽卡掣。4.依据申请专利范围第1项所述的晶圆研磨定位环之改良结构，其中，基部结合面与研磨部结合面之间使用黏着剂胶合定位。5.依据申请专利范围第4项所述的晶圆研磨定位环之改良结构，其中，基部结合面与研磨部结合面所使用之黏着剂可为环氧树脂。6.依据申请专利范围第1项所述的晶圆研磨定位环之改良结构，其中，导入孔系依循晶圆研磨定位环的逆轴转方向而于导入孔之外缘一侧延伸形成有一鸠尾槽。7.一种晶圆研磨定位环之改良结构，其特征在于包含基部与研磨部；其中，基部，系为具有一定厚度之环状态样物，基部之外缘下方设置有环列并贯穿基部内外径之鸠尾槽；研磨部，系为具有一定厚度之环状态样物，该研磨部之外缘上方设置有环列并贯穿研磨部内外径之鸠尾槽，可与基部外缘下方相对位置之鸠尾槽形成双鸠尾槽，并使用形状与双鸠尾槽相符之插销接合，该研磨部的底部则系为一研磨面。8.依据申请专利范围第1项或第7项所述的晶圆研磨定位环之改良结构，其中，该基部可为高分子材料。9.依据申请专利范围第8项所述的晶圆研磨定位环之改良结构，其中，该高分子材料系为聚苯硫醚(PPS；Polyphenylene Sulfide)。10.依据申请专利范围第8项所述的晶圆研磨定位环之改良结构，其中，该高分子材料系为聚醚二酮(PEEK；Polyetheretherketone)。11.依据申请专利范围第1项或第7项所述的晶圆研磨定位环之改良结构，其中，该基部可由射出成形制成。12.依据申请专利范围第1项或第7项所述的晶圆研磨定位环之改良结构，其中，该基部可由热压成形制成。13.依据申请专利范围第1项或第7项所述的晶圆研磨定位环之改良结构，其中，该基部可由挤压成形制成。14.依据申请专利范围第1项或第7项所述的晶圆研磨定位环之改良结构，其中，该研磨部系材料为聚苯硫醚(PPS；Polyphenylene Sulfide)。15.依据申请专利范围第1项或第7项所述的晶圆研磨定位环之改良结构，其中，该研磨部材料系为聚醚二酮(PEEK；Polyetheretherketone)。16.依据申请专利范围第1项或第7项所述的晶圆研磨定位环之改良结构，其中，研磨部下方设置有单一以上个研磨块所环设而成之研磨面。17.依据申请专利范围第16项所述的晶圆研磨定位环之改良结构，其中，研磨部下方的研磨块可利用胶合方式定位在研磨部下方表面。18.依据申请专利范围第16项所述的晶圆研磨定位环之改良结构，其中，研磨部下方的研磨块可利用销接方式定位在研磨部下方表面。19.依据申请专利范围第1项或第7项所述的晶圆研磨定位环之改良结构，其中，研磨部可为一体成型的。20.依据申请专利范围第1项或第7项所述的晶圆研磨定位环之改良结构，其中，研磨部的研磨面可开设沟槽，该沟槽系具有一特定深度并且贯穿研磨部之内、外径。图式简单说明：第一图系为本创作之立体示意图。第二图A系为本创作第一实施例之组合示意图(一)第二图B系为本创作第一实施例之组合示意图(二)第三图A系为本创作第二实施例之组装剖视示意图(一)。第三图B系为本创作第二实施例之组装剖视示意图(二)。第四图A系为本创作第三实施例之组装立体示意图(一)。第四图B系为本创作第三实施例之组装立体示意图(二)。第五图系为本创作之研磨部设置沟槽之示意图。第六图A系为本创作之组合式研磨部损耗更换之示意图(一)。第六图B系为本创作之组合式研磨部损耗更换之示意图(二)。 |
