资讯记录媒体及制造资讯记录媒体之方法

摘要

本发明揭示一种供作为DVD-RAM(数位视讯影碟随机存取记忆体)之高密度记录光碟片，用以防止由于基板与基板上所形成之记录叠层膜间所形成的应力而导致记录轨道变形，本发明提供一种应力补偿层，该应力补偿层包括作为主成分之如Ti(钛)或Cr(铬)的金属元素，并且具有承受收缩(张力)的属性，藉此补偿于膜形成时发生基板表面热膨胀后的冷却期间，由于基板表面收缩而导致叠层膜中形成的压缩应力。为了给予使层收缩的属性，所制成的层具有似柱状结构，从膜的下层表面开始，延伸到膜的上层表面。因此，在本发明的资讯储存媒体中，由于可降低整个叠层膜与基板间的内部应力，所以能够使磁片表面变形抑制到最低限度，并且，可避免位址读取错误、串扰及邻近轨道抹除。另外，高密度记录可重复写入多次。因此，可获得很有用的资讯储存媒体。因此，可实现相位变更光碟片，其中轨道间距几乎缩小到相对于预先决定光点直径的可容许限度，而可达成10,000次或以上(最好是100,000倍或以上)资讯重写次数。可完成防止当轨道间距缩小时容易发生因槽纹变形所导致之ID资讯(诸如位址)的交叉抹除及读取错误等问题。

主权项

1.一种藉由雷射光来完成读写的资讯储存媒体,其具有包含选自由Cr(铬)及Ti(钛)所组成之群组之至少一种元素之70原子%或以上的膜,该膜的厚度为30nm或以上,并且至少80%膜部份中具有从下膜面到上膜面所建构而成的如柱状结构。2.一种资讯储存媒体,当从光入射面方位看时,该资讯储存媒体在比记录膜更后面具有至少两层,每一层都包含60%金属原子或以上,该等层的其中一层包含选自由Cr(铬)及Ti(钛)所组成之群组之至少一金属元素的60原子%或以上,并且膜厚度为30 nm或以上。3.如申请专利范围第2项之资讯储存媒体,其中包含60%金属原子或以上的该层包含具有原子序介于22与28间之至少一金属元素的60原子%或以上,并且膜厚度为30 nm或以上。4.如申请专利范围第2项之资讯储存媒体,该资讯储存媒体具有三层前文提及的层,每一层都包含至少一金属元素的60原子%或以上。5.如申请专利范围第2项之资讯储存媒体,其中在前述分别包括作为主成分的金属之至少两层中,最接近光入射侧的该层包括Cr或Mo作为主成分。6.如申请专利范围第2项之资讯储存媒体,其中当从光入射面方位看时,包含选自由Cr(铬)及Ti(钛)所组成之群组之至少一金属元素之60原子%或以上且厚度为30 nm或以上之包括作为主成分金属的该层所在位置比包括作为主成分金属的其他层更前面。7.如申请专利范围第2项之资讯储存媒体,其中当从光入射面方位看时,包含选自由Cr(铬)及Ti(钛)所组成之群组之至少一金属元素之60原子%或以上且厚度为30 nm或以上之包括作为主成分金属的该层所在位置比包括作为主成分金属的其他层更后面。8.如申请专利范围第7项之资讯储存媒体,其中除了前面提及之包含选自由Cr(铬)及Ti(钛)所组成之群组之至少一金属元素之60原子%或以上且厚度为30 nm或以上之包括作为主成分金属的该层以外,包括作为主成分金属的层包含Al(铝)或Ag(银)之70原子%或以上。9.如申请专利范围第2项之资讯储存媒体,其中介于至少两层金属层与记录膜间的层是至少一电介质材料层,并且该至少一电介质材料层的总厚度介于10 nm到50 nm之间。10.如申请专利范围第2项之资讯储存媒体,其中包含选自由Cr(铬)及Ti(钛)所组成之群组之至少一金属元素之60原子%或以上之该层的厚度介于50 nm与150 nm间。11.一种资讯储存媒体,其包括一基板,并且,以下列连续顺序在该基板上叠层至少一电介质材料层,其厚度介于100 nm与140 nm之间;一记录膜,其厚度介于5 nm与20 nm之间;一电介质材料层,其厚度介于10 nm与50 nm之间;一层,其包括作为主成分的至少一金属元素,并且其厚度介于20 nm与70 nm之间;一层,其包含选自由Cr(铬)及Ti(钛)所组成之群组之至少一金属元素之60原子%或以上,并且其厚度介于50 nm与150 nm间;以及一层,其包括作为主成分的至少一金属元素,并且其厚度介于20 nm与200nm之间。12.一种资讯储存媒体,其包括一基板,并且,以下列连续顺序在该基板上叠层至少一电介质材料层,其厚度介于100 nm与140 nm之间;一记录膜,其厚度介于5 nm与20 nm之间;一电介质材料层,其厚度介于10 nm与50 nm之间;一层,其包括作为主成分的至少一金属元素,并且其厚度介于20 nm与70 nm之间;一层,其包括作为主成分的至少一金属元素,并且其厚度介于20nm与200nm之间;以及,一层,其包含选自由Cr(铬)及Ti(钛)所组成之群组之至少一金属元素之60原子%或以上,并且其厚度介于50 nm与150 nm间。13.如申请专利范围第11或12项之资讯储存媒体,其中在前述包括作为主成分的至少一金属元素之至少两层中,最接近光入射侧的该层包含Cr或Mo作为主成分。14.如申请专利范围第11或12项之资讯储存媒体,其中包括作为主成分之至少一金属元素且厚度介于20nm与200 nm间的该层包含Al或Ag的70原子%或以上。15.如申请专利范围第2项之资讯储存媒体,其中该记录膜藉由相位变更来完成记录。16.如申请专利范围第2项之资讯储存媒体,其中该媒体之基板具有介于0.3m与0.7m间的记录轨道间距,并且在从轨道中心偏移的位置上具有代表位址资讯等等的坑列(pit trains)。17.如申请专利范围第7项之资讯储存媒体,其中前面提及之包括作为主成分金属的其他层包括作为主成分的Ag,并且记录叠层膜的层数量是6。18.一种藉由雷射光来完成读写的资讯储存媒体,其具有一层,该层包含选自由Cr(铬)及Ti(钛)所组成之群组之至少一金属元素之60原子%或以上,该膜系以120sccm或以上Ar(氢)气流率所形成的膜。19.一种制造一藉由雷射光来完成读写之资讯储存媒体的方法,该方法包含以120 sccm或以上Ar(氢)气流率形成一层,该层包含选自由Cr(铬)及Ti(钛)所组成之群组之至少一金属元素之60原子%或以上。20.一种资讯储存媒体,其具有包含选自由Cr(铬)及Ti(钛)所组成之群组之至少一金属元素的60原子%或以上,并且膜厚度为30 nm或以上。21.如申请专利范围第20项之资讯储存媒体,其中前面提及之包含选自由Cr(铬)及Ti(钛)所组成之群组之至少一金属元素之60原子%的该层是Ti-Cr合金层,该合金层包含介于30原子%与85原子%的Cr以及介于15原子%与70原子%的Ti。图式简单说明:图1显示本发明资讯储存媒体结构的断面图,其中数字9指示应力补偿层。图2A及2B分别显示本发明资讯储存媒体之应力补偿层结构的断面SEM(扫描式电子显微镜)照片。图3显示单光束覆写原理的图式。图4显示用来比较标记位置记录及标记边缘记录间密度的图式。图5显示DVD-RAM格式化坑(pit)标题部份与使用者资料部位槽纹之相对位置的图式。图6显示陆面槽纹(land-groove)的图式。图7显示区域定线速(Z one CLV)记录系统的图式。图8显示吸收补偿层角色的图式。图9显示由于重新结晶化所导致交叉抹除增加的图式。图10显示4.7 GB DVD-RAM记录波形的图式。图11显示4.7 GB DVD-RAM记录波形的图式。图12显示2.6 GB DVD-RAM之最短83T标记形式的图式。图13显示记录脉冲之后无冷却情况下之2.6 GB DVD-RAM之3T标记形式的图式。图14显示本发明资讯储存媒体轨道弯曲之决定结果的图式。图15显示本发明范例之碟形资讯储存媒体结构的断面图。图16显示本发明范例之碟形资讯储存媒体结构的断弓面图。图17显示本发明范例之碟形资讯储存媒体结构的断面图。图18显示折成两段的基板,这是藉由SEM所观察到的部份。图19显示本发明范例之碟形资讯储存媒体结构的断面图。图20显示本发明范例之碟形资讯储存媒体结构的断面图。图21显示本发明范例之碟形资讯储存媒体结构的断面图。图22显示本发明范例之碟形资讯储存媒体结构的断面图。图23显示本发明范例之碟形资讯储存媒体结构的断面图。图24显示本发明范例之碟形资讯储存媒体结构的断面图。图25显示本发明范例之碟形资讯储存媒体结构的断面图。图26显示本发明范例之碟形资讯储存媒体结构的断面图。图27显示本发明范例之碟形资讯储存媒体结构的断面图。图28显示本发明范例之碟形资讯储存媒体结构的断面图。图29显示本发明范例之碟形资讯储存媒体结构的断面图。图30显示本发明范例之碟形资讯储存媒体结构的断面图。图31显示本发明范例之碟形资讯储存媒体结构的断面图。图32显示本发明范例之碟形资讯储存媒体结构的断面图。图33显示本发明范例之碟形资讯储存媒体结构的断面图。