| 主权项 |
1.一种以抵介电常数材料当作金属间介电质层的金属内连线制程,包括下列步骤:(a)提供一形成有金属内连线的半导体基底;(b)在上述半导体基底上方涂覆一有机低介电常数材料层,以当作金属间介电质层;以及(c)施以氮气高密度电浆(HDP)处理,以去除上述有机低介电常数材料层的水份。2.如申请专利范围第1项所述之金属内连线制程,其中上述金属内连线系由铝铜合金材料构成。3.如申请专利范围第1项所述之金属内连线制程,其中上述金属内连线系由铜金属构成。4.如申请专利范围第1项所述之金属内连线制程,其中上述有机低介电常数材料层系伸芳香基醚类聚合物层(poly(arylene ether)polymer)。5.如申请专利范围第4项所述之金属内连线制程,其中上述有机低介电常数材料层系Schumacher公司所制造的PAE-2层。6.如申请专利范围第1项所述之金属内连线制程,其中上述有机低介电常数材料层系AlliedSignal公司所制造的FLARE层。7.如申请专利范围第1项所述之金属内连线制程,其中上述有机低介电常数材料层系Allied Signal公司所制造的HOSP层。8.如申请专利范围第1项所述之金属内连线制程,其中上述有机低介电常数材料层系Allied Signal公司所制造的LOSP层。9.如申请专利范围第1项所述之金属内连线制程,其中上述有机低介电常数材料层系DowChemical公司所制造的SiLK层。10.如申请专利范围第1项述之金属内连线制程,其中上述步骤(c)氮气高密度电浆处理步骤系在300-400℃的温度下进行。11.如申请专利范围第10项所述之金属内连线制程,其中上述步骤(c)氮气高密度电浆处理时间系介于5秒至3分钟之间。12.如申请专利范围第1项所述之金属内连线制程,其中步骤(c之后,更包括在上述有机低介电常数材料层上方形成一绝缘覆盖层(cap layer)。13.一种以低介电常数材料当作金属间介电质层的内连线制程,包括下列步骤:(a)提供一形成有金属内连线的半导体基底;(b)在上述半导体基底上方涂覆低介电常数之DowChemical公司所制造的SiLK层,以当作金属间介电质层;以及(c)施以氮气高密度电浆(HDP)处理5秒至3分钟,以去除上述SiLK层的水份。图式简单说明:第一图-第四图系根据本发明实施例,以低介电常数材料当作金属间介电质层的金属内连线制程剖面示意图。 |
