一种具有近端写入的磁性存储器件的结构及其方法

摘要

本发明涉及一种磁性随机存取存储(MRAM)器件，其包括多个磁性随机存取存储结构，每一磁性随机存取存储结构包括邻近于高磁导率导线的磁阻性存储单元、以及用以存取此磁阻性存储单元而进行读取与写入操作的单一晶体管。此高磁导率导线用作读取与写入操作的电流路径，进而减少金属位线的数目。

主权项

1.一种磁性随机存取存储器件，包括：高磁导率导体元件；磁阻性存储单元，其以邻近导体而与该高磁导率导体元件分隔；字线晶体管，其包括栅极、源极区域、以及漏极区域，该源极区域连接至该高磁导率导体元件的一端；字线，其连接至该字线晶体管的栅极；第一位线，其连接至该字线晶体管的漏极区域且垂直于该字线；以及第二位线，其连接至该磁阻性存储单元并平行于该字线。