| 摘要 |
Halbleiter-Prüfverfahren, bei dem sowohl der Zustand einer Probenoberfläche, die mit einem Elektronenstrahl oder einem positiv geladenen Ionenstrahl, um die Oberfläche zu laden, bestrahlt wird, als auch die Veränderung des Zustands in Form einer Kontrastumkehr mit einem REM oder einem fokussierten Ionenstrahl, sobald ein stark geladener Zustand mit einem positiv geladenen Ionenstrahl oder einem negativ geladenen Elektronenstrahl punktbestrahlt wird, mikroskopisch beobachtet und analysiert werden, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei dem punktbestrahlenden Ionenstrahl um einen intermittierenden Impuls mit einer vorbestimmten Ladungsmenge handelt, und die Ladungsmenge durch die Anzahl von Impulsen bestimmt wird. |
