一种用于高功率半导体的半导体结构之制作方法

摘要

一种用于高功率半导体装置之基板配置，包括一碳化矽晶圆，其中在该碳化矽晶圆之一表面上沈积有一矽层；一具有一第一矽层、一二氧化矽之中间层及一第三矽层之绝缘体上之矽结构，将其第三矽层黏结至沈积在该碳化矽晶圆上之该矽层，以形成一整体结构。将该绝缘体上矽结构之第一矽层以及二氧化矽之该中间层移除，仅仅留下第三纯矽层，其上可制造各种半导体装直。在该基板配置之一部分上将该第三矽层及沈积矽层移除，从而可在该碳化矽晶圆上制造一或多个半导体装置，而其他半导体装置可以容纳在该第三纯矽层上。