发明名称 MANUFACTURE OF GAAS FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号 JPS57106080(A) 申请公布日期 1982.07.01
申请号 JP19800182350 申请日期 1980.12.23
申请人 TOKYO SHIBAURA DENKI KK 发明人 TOYODA NOBUYUKI;HOUJIYOU AKIMICHI
分类号 H01L21/324;H01L21/338;H01L29/80;H01L29/812 主分类号 H01L21/324
代理机构 代理人
主权项
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