发明名称 |
MANUFACTURE OF GAAS SINGLE CRYSTAL |
摘要 |
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申请公布号 |
JPH0684791(A) |
申请公布日期 |
1994.03.25 |
申请号 |
JP19910257470 |
申请日期 |
1991.10.04 |
申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
FUJISAKI YOSHIHISA;TAKANO YUKIO;ISHIBA TSUTOMU |
分类号 |
H01L21/20;C30B15/20;C30B29/42;H01L21/338;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/20 |
主分类号 |
H01L21/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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