| 主权项 |
1. 制造一交变孔相移护罩之一种方法包含:淀积一不透明层于透明基体上;形成一通过不透明层开口至此基体之一图型,以形成一护罩图型,它包括透明区和不透明区;在所要之相移护罩图型内辨识相位冲突之区域,其中相同相位之区域呈紧密接近地发生者;形成连接之透明区用以在相位冲突区内连接获罩图型之邻近透明区在一起;以及在每一另一透明区内以及在连接之透明区内形成相移区。2. 如申请专利范围第1项之制造一相移护罩之方法,以及其中此相移区系藉使用一减色方法而形成,其中此减色为刻成一槽。3. 如申请专利范围第1项之制造一相移护罩之方法,以及其中此相移区系藉使用一加色方法而形成,其中相移材料系淀积于基体上。4. 如申请专利范围第1项之制造一相移护罩之方法,以及其中此护罩图型系使用光刻蚀法形成,其中此不透明层系覆盖以保护层和光图型,以及此不透明层和基体系分级地予以蚀刻。5. 如申请专利范围第4项之制造一相移护罩之方法,以及其中此光刻蚀法程序包括第一次书写,其中在不透明层内开口之图型系形成,以及一第二次书写,其中连接之透明区系形成。6. 如申请专利范围第4项之制造一相移护罩之方法,以及其中此光刻蚀法程序包括第一次书写,其中在不透明层内开口之图型系经形成,一第二次书写,其中相移区系形成在每另一开口内,一第三次书写,其中此连接之透明区系形成,以及一第四次书写,其中相移带系形成于连接之透明区内。7. 如申请专利范围第1项之制造一相移护罩之方法,以及其他此相移护罩图型系适合于以一反色调保护层用以照相仿作图型于一晶片上。8. 如申请专利范围第1项之制造一相移护罩之方法,以及其中此相移护罩图型系适合于使用一正保护层用以照相仿作图型于一晶片上。9. 如申请专利范围第1项之制造一相移护罩之方法,以及其中此连接之透明区包括由一透明带所分开之重叠相移区,因此,在应用此相移护罩之光刻蚀程序中,一强势零系形成于透明带。10. 如申请专利范围第1项之制造一相移护罩之方法,以及其中此相位冲突区系使用一自动电子计算器辅助设计技术来辨识。11. 如申请专利范围第1项之制造一相移护罩之方法,以及其中供相移区用之基体系经蚀刻以产生一360度之相移。12. 制造一交变孔相移护罩之方法,包含:在一所要之相移护罩图型中辨识相位冲突之区域,其中相同相位之区域系紧密接近地发生者;淀积一不透明层在一透明基体上;以照相仿作图型并蚀刻此不透明层以形成一护罩图型,该图型包括透明区,不透明区,以及用以在相位冲突区内连接护罩图型之相邻近透明区在一起之连接透明区;以及在每另一透明区和连接透明区内形成相移区,用以在相位冲突区内分离特色。13. 如申请专利范围第12项之制造一相移护罩之方法,以及其中照相仿作图型及蚀刻包括一第一次书写,其中此透明和不透明区系形成,以及一第二次书写,其中此连接透明区系形成。14. 如申请专利范围第12项之制造一相移护罩之方法,以及其中此相移区系藉蚀刻槽于基体上而形成。15.如申请专利范围第12项之制造一相移护罩之方法,以及其中照相仿作图型和蚀刻包括一第一次书写,其中此透明和不透明区系经形成,以及一第二次书写,其中此连接透明区系经形成。16. 如申请专利范围第12项之制造一相移护罩之方法,以及其中照相仿作图型和蚀刻包括一第一次书写,其中一二元护罩图型系经形成,一第二次书写,其中此基体系经蚀刻以形成180度之相移区,一第二次书写,其中相带在180度相位冲突区系形成,以及一第四次书写,其中相位冲突区由第三次书写所形成者系经蚀刻以形成相带。17. 制造一交变孔相移护罩之一种方法包含:在一所要之相移护罩图型内辨识相位冲突之区域,其中相同相位之区域呈紧密接近地发生者;淀积一不透明层于透明基体上;照相仿作图型和蚀刻此不透明层以形成一护罩图型,此图型包括透明区和不透明区;蚀刻每另一透明区以形成相移区之交变图型;照相仿作图型和蚀刻连接透明区于相位冲突区内护罩图型之两邻近透明区之间;以及照相仿作图型和蚀刻相移带于连接透明区内,用以在相位冲突区内分开特色。18. 如申请专利范围第17项之制造一相移护罩之方法,以及其中照相仿作图型和蚀刻此不透明层系在第一次书写中,照相仿作图型和蚀刻每另一透明区系在第二次书写中,照相仿作图型和蚀刻连接透明区系在第三次书写中,以及蚀刻相移带系在第四次书写中。19. 如申请专利范围第18项之方法,以及其中第二次书写中此基体系以至180度之相移光而蚀刻,以及在第三次书写中此180@bs3之基体系以至360度之相移光而蚀刻。图示简单说明:第1图为一形成于半导体晶片上之早期技艺之复杂光阻图型之示意图;第2图为一早期技艺护罩图型之示意图,此图型系供使用于一光学石板印刷术系统中,并可适合于用以形成使用一反色调保护层之第1图内所示之复杂图型;第2A图为用以形成第1图内所示复杂图型之早期技艺交变孔相移护罩图型之一示意图;第3图为依据本发明之方法,于护罩之形成中所显示之局部完成之护罩图型之一示意图;第4图为一示意图,显示供第3图之护罩图型用之相移区之位置;第5图为一示意图,显示供第3图之护罩图型用之透明区之位置,以此透明区与相移区重叠;第6图为形成于一半导体晶片上之另一早期技艺之光阻图型之示意图;第7图为一早期技艺之护罩图型之示意图,此图型适合使用于用以形成使用反色调保护层之第6图之光阻图型之光学石板印刷术中者;第8图为用以形成第6图之光阻图型之一早期技艺之相移护罩图型之示意图;第9图为用以形成第6图之光阻图型之局部地已完全之相移护罩图型之一示意图,此图型系依照本发明使用于制造一护罩所使用之两次书写程序之第一次书写之后所显示者;第10图为类似于第9图之一示意图,显示第二次书写之后一已完成之相移护罩图型;第11A图为显示于第10图内之护罩图型之一示意性横截面图;第11B图为一示意图,显示在一石板印刷术程序中使用第10图之已完成之护罩图型在一晶片上电场之强度;第12图为四次书写程序之第一次书写之后,所显示之依照本发明所构造之一护罩之局部已完成之护罩图型之示意图;第13图为四次书写程序之第二次书写之后所显示之局部已完成之护罩图型之一示意图;第14图为一放大示意图,显示四次书写程序之第三和第四次书写之护罩图型;以及第15图为第12图之一部分之放大示意图,显示一不透明连 |
