| 摘要 |
<p>Bei einer Flash-Speicherzelle (1) erfolgt die Feldisolation durch eine Oxid-Polysilizium-Oxid-Sandwich-Isolationsstruktur (11, 12, 13). Durch eine bezüglich der Wortleitungen (6) zweier benachbarter Speicherzellen (1) selbstjustierte Implantation von Dotierstoffen zur Erzeugung der Sourcebereiche (3) und Sourceverbindungsbahnen wird eine kleine Fläche für die Speicherzelle (1) ermöglicht. Durch die erfindungsgemäße Feldisolation wird eine Kapazität zwischen dem Dotierungsgebiet (8) und der Polysiliziumschicht (12) der Isolationsschicht erzeugt, die die Lesecharakteristik der Speicherzelle (1) verbessert.</p> |
