发明名称 | 高K介质膜及其制造方法 | ||
摘要 | 介质层包括镧、铝、氮和氧,形成在两个导体或者导体与衬底之间。在一个实施例中,在镧、氮或铝中使介质层渐变。另外的绝缘层可以形成在导体或者衬底和介质层之间。此介质层可以通过原子层化学汽相沉积、物理汽相沉积、有机金属化学汽相沉积或者脉冲激光沉积形成。 | ||
申请公布号 | CN100367502C | 申请公布日期 | 2008.02.06 |
申请号 | CN02142437.3 | 申请日期 | 2002.09.19 |
申请人 | 自由度半导体公司 | 发明人 | B-Y·尼谷彦;H-W·周;X-P·王 |
分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/31(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蔡胜有 |
主权项 | 1.一种半导体结构,其特征在于,半导体衬底;半导体衬底上包括镧、铝、氧和氮的介质层;和介质层上的电极。 | ||
地址 | 美国得克萨斯 |