发明名称 | 一种纳米晶体图形转印的方法及纳米晶体图形材料 | ||
摘要 | 本发明属于光电子信息技术领域和传统玻璃材料深加工领域,具体涉及一种玻璃或单晶基片中纳米晶体图形制备工艺方法。通过在玻璃或表面改性的单晶基片表面印制图形转印膜层,利用直流电场诱导下的热处理工艺引导金属离子定向扩散并析晶长大,实现纳米晶体图形向玻璃或单晶基片改性层中的转印。该方法步骤简单,得到的图形清晰稳定。采用该方法制备的玻璃或表面改性的单晶基片中纳米晶体图形材料可应用于纳米芯片、光电信息记录、显示及处理元件、玻璃及单晶基片表面功能化改性等领域。 | ||
申请公布号 | CN101261443A | 申请公布日期 | 2008.09.10 |
申请号 | CN200710040307.4 | 申请日期 | 2007.04.29 |
申请人 | 同济大学 | 发明人 | 林健 |
分类号 | G03F7/00(2006.01) | 主分类号 | G03F7/00(2006.01) |
代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 吴林松 |
主权项 | 1. 一种纳米晶体图形转印的方法,其步骤包括:(a)在玻璃或表面改性的单晶基片表面覆盖具有目标图形的转印膜层,该转印膜层是含纳米晶体前驱物的压印胶或含纳米晶体前驱物的金属膜层;(b)在直流电场诱导下,对覆盖有目标图形的转印膜层的玻璃或表面改性的单晶基片进行热处理,诱导纳米晶体前驱物中的金属离子向玻璃或单晶基片表面改性层内定向扩散、并在玻璃层或单晶基片表面改性层中成核、生长晶体,进而获得目标纳米晶体图形。 | ||
地址 | 200092上海市四平路1239号 |