Process for etching defective zones on the circumference of semiconductor substrate and etching apparatus

摘要

Die vorliegende Erfindung gibt eine Vorrichtung und ein Verfahren an, mit dem auch ohne Belackung von Halbleitersubstratvorderseite 12 und Halbleitersubstratrückseite 13 der Halbleitersubstratrand 14 geätzt werden kann. Dabei wird das Halbleitersubstrat 11 in einer evakuierbaren Prozeßkammer 2 angeordnete Schutzkammer 3 eingebracht. Die Halbleitersubstratvorderseite 12 und die Halbleitersubstratrückseite 13 werden von dieser Schutzkammer 3 bis auf den zu ätzenden Halbleitersubstratrand 14 überdeckt. Auf den Halbleitersubstratrand 14 wird dann ein Ätzagens aufgebracht und die Ätzprodukte und überschüssiges Ätzagens werden abgeführt. <IMAGE>