| 发明名称 | 钽阻挡层去除溶液 | ||
| 摘要 | 用于去除钽阻挡层材料的化学机械平坦化溶液。该溶液包含0至25重量百分比的氧化剂，0至15重量百分比的非铁金属金属抑制剂和0至20重量百分比该非铁金属的配位剂，0.01至12重量百分比选自甲脒，甲脒盐，甲脒衍生物，胍衍生物，胍盐和它们的混合物的钽去除剂，0至5重量百分比的研磨剂，0至15重量百分比选自聚合物颗粒和聚合物包覆颗粒的全部颗粒，而余量为水。该溶液具有至少3比1的氮化钽相对TEOS的选择性，如使用垂直于晶片的小于20.7kPa的微孔聚氨酯抛光垫板压力所测。 | ||
| 申请公布号 | CN1643660A | 申请公布日期 | 2005.07.20 |
| 申请号 | CN03806424.3 | 申请日期 | 2003.03.25 |
| 申请人 | CMP罗姆和哈斯电子材料控股公司 | 发明人 | 卞锦儒 |
| 分类号 | H01L21/306;H01L21/321;C09K3/14;C09G1/02 | 主分类号 | H01L21/306 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 蔡胜有 |
| 主权项 | 1.用于去除钽阻挡层材料的化学机械平坦化溶液，该溶液包含0至25重量百分比的氧化剂，0至15重量百分比的非铁金属抑制剂，0至20重量百分比该非铁金属的配位剂，0.01至12重量百分比选自甲脒，甲脒盐，甲脒衍生物，胍衍生物，胍盐和它们的混合物的钽去除剂，0至5重量百分比的研磨剂，0至15重量百分比选自聚合物颗粒和聚合物包覆颗粒的全部颗粒，和余量的水，该溶液具有至少3比1的氮化钽相对TEOS的选择性，如使用垂直于晶片测量的小于20.7kPa的微孔聚氨酯抛光垫压力所测。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||