| 摘要 |
1. Полупроводниковый диодный субнаносекундный обостритель импульсов, полупроводниковая структура которого имеет высоколегированные слои n- и р-типа проводимости, расположенные на противоположных сторонах исходной полупроводниковой пластины N-типа проводимости с диаметром D, и металлические контакты к этим слоям, отличающийся тем, что блокирующий рN-переход, имеющий диаметр D, равный диаметру полупроводниковой пластины, замкнут накоротко по периферии металлическим контактным слоем, а высоколегированный n-слой и металлический контакт к нему имеют диаметр D, меньший, чем диаметр D.2. Обостритель импульсов по п. 1, отличающийся тем, что исходная полупроводниковая пластина имеет ртип проводимости, блокирующим является nР-переход с диаметром, равным диаметру пластины D, замкнутый накоротко по периферии металлическим контактным слоем, а высоколегированный р-слой и металлический контактный слой к нему имеет диаметр D, меньший, чем диаметр D. |
