| 主权项 |
1.一种电容器下电极的制造方法,其包括:提供一矽晶下电极;以及将该矽晶下电极置于一含有金属离子的溶液中,进行一无电电镀反应,将该矽晶下电极置换成一金属下电极。2.如申请专利范围第1项所述之电容器下电极的制造方法,其中该矽晶下电极包括一复晶矽。3.如申请专利范围第1项所述之电容器下电极的制造方法,其中该矽晶下电极包括一非晶矽。4.如申请专利范围第1项所述之电容器下电极的制造方法,其中该矽晶下电极的制造方法更包括提供一矽晶层;以及定义该矽晶层,作为一矽晶下电极。5.如申请专利范围第1项所述之电容器下电极的制造方法,其中该矽晶层包括以化学气相沉积法形成。6.如申请专利范围第1项所述之电容器下电极的制造方法,其中该含有金属离子的溶液包括一含铂金属离子溶液。7.如申请专利范围第6项所述之电容器下电极的制造方法,其中该金属下电极为铂下电极。8.如申请专利范围第1项所述之电容器下电极的制造方法,其中该含有金属离子的溶液包括一含钯金属离子溶液。9.如申请专利范围第8项所述之电容器下电极的制造方法,其中该金属下电极为钯下电极。10.如申请专利范围第1项所述之电容器下电极的制造方法,其中在形成该金属下电极后,更包括对该金属下电极进行一退火的步骤。11.如申请专利范围第1项所述之电容器下电极的制造方法,其中该还有金属离子的溶液更包括氢氟酸。12.一种动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,适用在具有一主动区的半导体基底上,该半导体基底上具有一介电层,该介电层中具有一接触窗与该掺杂区电性连接,该制造方法至少包括:在该介电层上形成一矽晶层;定义该矽晶层,作为一矽晶下电极,该矽晶下电极以该接触窗与该掺杂区电性连接;将该矽晶下电极置于一含有金属离子的溶液中,进行一无电电镀反应,将该矽晶下电极置换成一金属下电极;对该金属下电极进行一退火步骤;在该金属下电极上形成一高介电常数电容介电层;在该高介电常数电容介电层上形成一金属下电极。13.如申请专利范围第12项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中在该矽晶层形成之前,更包括在该介电层上形成一阻障层。14.如申请专利范围第13项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该阻障层包括氮化钛层。15.如申请专利范围第12项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该高介电常数电容介电层包括BST。16.如申请专利范围第13项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该矽晶层包括一复晶矽。17.如申请专利范围第12项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该矽晶层包括一非晶矽。18.如申请专利范围第12项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该矽晶层包括以化学气相沉积法形成。19.如申请专利范围第12项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该含有金属离子的溶液包括一含铂金属离子溶液。20.如申请专利范围第19项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该金属下电极为铂下电极。21.如申请专利范围第12项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该含有金属离子的溶液包括一含钯金属离子溶液。22.如申请专利范围第21项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该金属下电极为钯下电极。23.如申请专利范围第12项所述之动态随机存取记忆体电容器下电极的制造方法,其中该含有金属离子溶液中更包括氢氟酸。图式简单说明:第一图系显示一种习知以金属铂为电容器下电极之剖面图;以及第二图A-第二图D系显示根据本发明较佳实施例高介电常数电容器下电极之制造流程剖面图。 |
