| 摘要 |
<P>Procédé de préparation de disilane, du genre où un gaz brut incorporant du monosilane, du disilane, du trisilane et des impuretés telles que phosphine, hydrogène sulfuré, arsine, disiloxane et siloxanes supérieurs, est soumis à une étape de séparation par distillation pour l'élimination substantielle des autres composés du silicium, à l'exception du disiloxane, et l'élimination substantielle des impuretés phosphine, hydrogène sulfuré et arsine, caractérisé en ce qu'on procède à une épuration finale du disilane par adsorption sélective sur tamis moléculaires, dont l'un est un tamis du type 3 A pour l'élimination des siloxanes et de l'hydrogène sulfuré et l'autre un tamis du type 4 A pour l'élimination de la phosphine et de l'arsine.</P>
|
