| 发明名称 |
Method for fabricating a DRAM cell capacitor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2336942(A) |
申请公布日期 |
1999.11.03 |
| 申请号 |
GB19990001728 |
申请日期 |
1999.01.26 |
| 申请人 |
* SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. |
发明人 |
CHANG-WON * CHOI;CHANG-HWAN * LEE;CHUL * JUNG;MIN-SEOK * HAN |
| 分类号 |
H01L27/108;H01L21/02;H01L21/768;H01L21/8242;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L27/108 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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