| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该方法以扩散地形程序(diffusion topography engineering，DTE)形成半导体结构。首先在半导体基板中形成沟槽隔离区以定义扩散区。在含氢环境下，对半导体基板进行DTE程序，且在扩散区上形成MOS元件。DTE程序造成硅迁移，形成圆形或T形的扩散区表面。此方法更可包括在进行DTE程序前，使扩散区的一部分形成凹陷。在DTE程序后，此扩散区形成倾斜表面。本发明能够改善各MOS元件内部的应力，从而提高元件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101038920A | 申请公布日期 | 2007.09.19 |
| 申请号 | CN200710088698.7 | 申请日期 | 2007.03.16 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 柯志欣;李文钦;葛崇祜;陈宏玮 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H01L27/088(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L27/02(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/8238(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：基板，包括第一扩散区及第二扩散区，该第一扩散区有大抵圆弧的第一表面，该第二扩散区有大抵圆弧的第二表面；第一MOS元件在该第一扩散区上；第二MOS元件在该第二扩散区上；第一应力介电层在该第一MOS元件上；以及第二应力介电层在该第二MOS元件上，其中该第一及第二应力介电层具有实质上不同的应力。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||