沈积ＩＩＩ／Ｖ族化合物之方法

摘要

本发明的实施例主要涉及利用一氢化物气相磊晶（HVPE）制程形成Ⅲ－Ⅴ族材料的方法。在一实施例中，提供一种在处理室中的一基板上形成氮化镓材料的方法，其包括：加热金属源以形成已加热的金属源；其中已加热的金属源含有镓、铝、铟、其合金或其组合物，将已加热的金属源暴露到氯气中同时形成金属氯化物气体，在HVPE制程期间将基板暴露到金属氯化物气体和氮前驱物气体，同时在基板上形成金属氮化物层。该方法更提供在形成金属氮化物层之前，在一预处理制程期间将基板暴露于氯气。在一范例中，在预处理制程期间将处理室的排气管道加热至约200℃或200℃以下。