内连线结构及其形成方法

摘要

本发明揭露了一种内连线结构及其形成方法。本发明的内连线结构可以藉由使用一层类金属化合物层来增进金属层与冠状层之间的接合度，进而可以避免在根据本发明的内连线结构中因为热应力而产生金属迁移。再者，因为根据本发明的内连线结构及其形成方法可以有效的防止金属迁移，所以，在根据本发明的内连线结构中不会因为热应力而产生空隙。因此，本发明的内连线结构及其形成方法防止因为产生空隙而造成内连线的阻值上升的缺陷，进而可以有效的提升内连线在半导体结构中的可靠度。