SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF

摘要

본 발명의 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치의 동작 방법은, 복수의 페이지들 각각에 적어도 한 번의 프로그램 펄스를 인가하는 단계, 초기 테스트 전압을 이용하여 기준 페이지에 대한 프리 읽기를 수행하는 단계, 프리 읽기의 결과가 패스일 때까지 초기 테스트 전압을 조절하여 프리 읽기를 재수행하는 단계, 프리 읽기의 결과가 패스일 때의 초기 테스트 전압을 기준 테스트 전압으로 설정하는 단계, 그리고 기준 테스트 전압을 이용하여 복수의 페이지들에 대해 각각 읽기들을 수행함으로써 복수의 페이지들 중 결함 페이지를 검출하는 단계를 포함한다.