| 摘要 |
본 발명은 상이한 종류의 에칭 대상막을 에칭할 때의 가공 시간을 단축하여, 생산성을 향상시키는 것을 목적으로 한다. 플라즈마 생성용의 고주파 전력에 의해 수소 함유 가스 및 불소 함유 가스로부터 플라즈마를 생성하고, -30℃ 이하의 극저온 환경에 있어서, 생성된 플라즈마에 의해 실리콘 산화막 및 질화 실리콘막의 에칭 대상막을 에칭하며, 상기 에칭에서는, 하나의 에칭 대상막을 에칭하는 제1 에칭의 에칭률과, 상기 하나의 에칭 대상막과 상이한 구조의 다른 에칭 대상막을 에칭하는 제2 에칭의 에칭률의 차가 ±20% 이내가 되도록 제어하는 에칭 처리 방법이 제공된다. |
