| 摘要 |
一种四层结构化之硬罩模，其系由一SiC薄膜、一第一SiO2薄膜、一SiC薄膜，以及一形成于一作为层间绝缘薄膜之多孔性二氧化矽薄膜上之第二SiO2薄膜所构成。接着，该第二SiO2薄膜系以一光阻罩模加以蚀刻。随后，该SiC薄膜系以该第二SiO2薄膜加以蚀刻。其后，该第一SiO2薄膜系以该SiC薄膜加以蚀刻。随后，该SiC薄膜系以该SiC薄膜加以蚀刻。接着，藉由以该SiC薄膜而蚀刻该多孔性二氧化矽，一布线沟槽系被形成。在此时，该SiC薄膜与该多孔性二氧化矽薄膜间之选择比率系为大，使得罕有SiC薄膜之变形发生，其防止因变形所导致之泄漏。 |
