| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 在一种半导体器件制造方法中,在半导体基片上的金属布线层上形成钝化膜。在钝化膜的预定区域形成第一开口以达到金属布线层的表面。通过使用惰性气体在等离子体处理装置的处理室中溅蚀由硅氧化物制成的伪基片。在已进行溅蚀的等离子体处理装置的处理室中,通过使用惰性气体等离子体溅射清理暴露于第一开口底部的金属布线层的表面。 | ||
| 申请公布号 | CN1232287A | 申请公布日期 | 1999.10.20 |
| 申请号 | CN99105574.8 | 申请日期 | 1999.04.14 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 儿玉修一 |
| 分类号 | H01L21/302;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/302 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 姜丽楼 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件制造方法，其特征在于，它包括如下步骤：在基片(100)上的金属布线层(102)上形成一有机绝缘膜(104)；在有机绝缘膜的预定区域中形成第一开口(106)以达到金属布线层的表面；通过使用惰性气体等离子体在等离子体处理装置中的处理室中溅蚀由硅氧化物制成的伪基片；以及通过使用惰性等离子体在进行蚀刻的所述等离子体处理装置的所述处理室中溅射清理暴露在第一开口的底部的金属布线层的表面。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||