| 发明名称 | 具有介电层的集成电路 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种在衬底上制造具有介电层的集成电路的方法。一个实施例提供了在衬底上形成呈非晶态的介电层，该介电层具有结晶温度；掺杂介电层；以等于或小于结晶温度的温度在介电层上形成覆盖层；以及将介电层加热到等于或大于结晶温度的温度。 | ||
| 申请公布号 | CN101645446A | 申请公布日期 | 2010.02.10 |
| 申请号 | CN200810131274.9 | 申请日期 | 2008.08.05 |
| 申请人 | 奇梦达股份公司 | 发明人 | 蒂姆·伯斯克;约翰内斯·海特曼;乌韦·施勒德尔 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/3115(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 章社杲;吴贵明 |
| 主权项 | 1.一种集成电路，包括：介电层，其中，所述介电层呈晶态，并被施加应力。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||