发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 一种电感之制造方法包含形成一螺旋金属线于一半导体基板之上;透过选择性地蚀刻形成为埋藏此金属线的一第一介电膜用以形成一暴露第一金属线之一部份的连接孔,以及形成一第一金属膜于第一介电膜之上,其中第一介电膜上形成有连接孔;形成一第二介电膜于第一金属膜之上;以及形成一第一光阻抗蚀膜于第二介电膜之上,其中第一光阻抗蚀膜用以形成与螺旋金属线相对应之一第二金属线,以及使用第一光阻抗蚀图案作为一蚀刻光罩选择性地蚀刻第二介电膜及第一金属膜用以形成一第二金属线;此第二介电膜防止由第一光阻图案与第一金属膜之间的蚀刻速率差别引起的第二金属线之顶部之蚀刻。
申请公布号 TW200926355 申请公布日期 2009.06.16
申请号 TW097143672 申请日期 2008.11.12
申请人 东部高科股份有限公司 发明人 尹基准
分类号 H01L21/77(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01F17/00(2006.01) 主分类号 H01L21/77(2006.01)
代理机构 代理人 许世正
主权项
地址 南韩