| 主权项 |
1.一种固体摄像元件,系具备接收外部的光而产生 资讯电荷的摄像部, 前述摄像部包括:形成在半导体基板的表面上,隔 预定间隔以大致均一的宽度平行配置在前述半导 体基板的表面区域上,其表面区域具有一导电型的 多个通道区域;以及在前述半导体基板表面上,延 伸于与前述多个通道区域交叉的方向互相平行地 配置的多个传送电极, 在由前述传送电极的作用而形成的电位阱中存储 应答入射前述半导体基板的光而产生的资讯电荷, 其特征在于, 植入形成在前述通道区域,且设有表面区域具有与 前述通道区域为相反导电型的光电二极体,前述光 电二极体的前述传送电极的延伸方向之长度要比 前述通道区域的宽度短, 在前述传送电极上设置切口区域,以使设有前述光 电二极体的部分作为开口部, 利用前述传送电极的作用,使资讯电荷在前述通道 区域与前述光电二极体之间移动。 2.如申请专利范围第1项之固体摄像元件,其中,具 有形成前述光电二极体之一导电型的区域之杂质 浓度系高于前述通道区域的杂质浓度。 3.如申请专利范围第1项或第2项之固体摄像元件, 其中,还包括:配置在前述多个通道区域之间,且表 面区域具有与前述通道区域为相反导电型之分离 区域, 形成前述光电二极体的区域,系形成在形成有前述 分离区域之前述半导体基板的区域附近而成。 4.如申请专利范围第1项或第2项之固体摄像元件, 其中,具有:外部的光不会入射到前述半导体基板 表面中形成有前述光电二极体之区域以外的区域 之构成。 5.如申请专利范围第1项或第2项之固体摄像元件, 其中,包括:使外部的光只入射到形成有前述光电 二极体的区域之透镜。 6.如申请专利范围第1项或第2项之固体摄像元件, 其中,具有:使前述分离区域的至少一个和形成有 前述光电二极体区域的表面之电位相等的构成。 7.一种固体摄像元件的控制方法,其中固体摄像元 件系具备接收外部的光而产生资讯电荷的摄像部, 前述摄像部包括:形成在半导体基板的表面上,隔 预定间隔以大致均一的宽度平行配置在前述半导 体基板的表面区域上,其表面区域具有一导电型的 多个通道区域;以及在前述半导体基板表面上,延 伸于与前述多个通道区域交叉的方向互相平行地 配置的多个传送电极, 在由前述传送电极的作用而形成的电位阱中存储 应答入射前述半导体基板的光而产生的资讯电荷 者, 植入形成在前述通道区域,且设有表面区域具有与 前述通道区域为相反导电型之光电二极体;前述光 电二极体的前述传送电极的延伸方向之长度要比 前述通道区域的宽度短, 在前述传送电极上设置切口区域,以使设有前述光 电二极体的部分作为开口部,其特征在于, 利用前述传送电极的作用,使资讯电荷在前述通道 区域与前述光电二极体之间移动,同时,变更前述 半导体基板的电位。 图式简单说明: 第1图是表示本发明的第一实施形态的固体摄像元 件的摄像部的俯视图。 第2图是表示本发明的第一实施形态的固体摄像元 件的摄像部的侧剖面图。 第3图(a)及(b)是表示本发明的第一实施形态的固体 摄像元件的摄像部的电势分布的图。 第4图是表示本发明的第一实施形态的固体摄像元 件的摄像部的另一例的俯视图。 第5图是表示本发明的第一实施形态的固体摄像元 件的摄像部的另一例的侧剖面图。 第6图是表示本发明的第二实施形态的固体摄像元 件的摄像部的俯视图。 第7图是表示本发明的第二实施形态的固体摄像元 件的摄像部的侧剖面图。 第8图是表示固体摄像元件控制方法的时间图。 第9图是表示本发明的第二实施形态的固体摄像元 件的摄像部的电势分布的图。 第10图是表示本发明的第二实施形态的固体摄像 元件的摄像部的电势分布的图。 第11图是表示摄像时的固体摄像元件的摄像部的 电势分布的图。 第12图是表示栅极传送时的固体摄像元件的摄像 部的电势分布的图。 第13图是表示传送时的固体摄像元件的摄像部的 电势分布的图。 第14图是表示固体摄像元件的构成的概念图。 第15图(a)至(c)是表示现有的固体摄像元件的构成 的俯视图及侧剖面图。 第16图是固体摄像元件的电荷存储形态的说明图 。 第17图是表示固体摄像元件的摄像部的俯视图的 另一例的图。 第18图是表示固体摄像元件的摄像部的俯视图的 又一例的图。 |
