发明名称 磁性记录装置的制造方法
摘要 一种磁性记录装置的制造方法,是先依序在基材上形成底层与磁性记录层,再以氦离子布植于磁性记录层之一第一区域区域,使第一区域中的多数原子规则排列而成为一序化区域,并同时可以非磁性元素离子布植于磁性记录层之一第二区域,使第二区域中成为一非磁区域。本发明以离子布植之直接能量转换方式而无须后退火制程,即可使磁性记录层形成多数间隔排列之非磁区域区与独立的序化区域,且有效地降低铁铂合金之序化温度,进而增加记录储存密度。此外,由于离子束具有可聚焦特性或是结合光罩的方式,可进行记录媒体规则图案之直接绘制。
申请公布号 TWI298876 申请公布日期 2008.07.11
申请号 TW093115509 申请日期 2004.05.31
申请人 国立清华大学 发明人 赖志煌;杨政翰
分类号 G11B5/84(200601AFI20080429VHTW) 主分类号 G11B5/84(200601AFI20080429VHTW)
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种磁性记录装置的制造方法,包含: (a)形成一底层于一基材上; (b)形成一磁性记录层于该底层上;及 (c)在无加热形成有该磁性纪录层与底层之基材的 制程状态下,直接以带有1MeV~10MeV能量的氦离子布 植于该磁性记录层之一第一区域,藉该氦离子本身 带有的能量以及布植于该磁性纪录层时伴随转化 的热量使该第一区域中的多数原子排列序化而成 为一序化区域。 2.依据申请专利范围第1项所述磁性记录装置的制 造方法,更包含一步骤(d),以一非磁性元素离子布 植于该磁性记录层之一第二区域,使该第二区域中 成为一非磁区域。 3.依据申请专利范围第1项所述磁性记录装置的制 造方法,其中,该基材是选自于由下列所构成之群 组中的物所构成:玻璃、矽基材、铝镁合金,及此 等之一组合。 4.依据申请专利范围第1项所述磁性记录装置的制 造方法,其中,该底层是选自一具有与该磁性记录 层相匹配的晶格使得该磁性记录层得以良好成长 而具有优异的结晶性之材料所制成。 5.依据申请专利范围第4项所述磁性记录装置的制 造方法,其中,该底层是选自于由下列所构成之群 组中的物所构成:钴基(Co-based)合金、铬基合金(Cr- Based)、镍基合金(Ni-based)与铂基(Pt-based)合金,及此 等之一组合。 6.依据申请专利范围第1项所述磁性记录装置的制 造方法,其中,该磁性记录层是选自由下列所构成 之群组中的方法所形成:磁控溅镀、离子枪溅镀、 电子枪蒸镀、分子束磊晶、电镀,及此等之一组合 。 7.依据申请专利范围第1项所述磁性记录装置的制 造方法,其中,该磁性记录层是选自由下列所构成 之群组中的物所形成:铁铂合金、铁镉合金、钴铂 合金,铁铂多层膜、钴铂多层膜,及此等之一组合 。 8.依据申请专利范围第2项所述磁性记录装置的制 造方法,其中,该非磁性元素是选自由下列所构成 之群组:硼、铝、矽、磷、锗、碳、铬、锰、镓、 氩、氮、氧,及此等之一组合。 9.依据申请专利范围第2项所述磁性记录装置的制 造方法,其中,该非磁性元素是带有20KeV至700KeV之能 量。 10.依据申请专利范围第2项所述磁性记录装置的制 造方法,更包含一步骤(f),是重复步骤(c)与步骤(d), 使该磁性记录层形成复数序化区域与非磁区域,且 该复数序化区域与非磁区域是彼此间隔排列,使得 每一序化区域为一独立的可记录讯号区域。 11.依据申请专利范围第1项所述磁性记录装置的制 造方法,其中,该氦离子布植之离子束是可聚焦以 直接绘制该序化区域成一预定规则图案。 12.依据申请专利范围第1项所述磁性记录装置的制 造方法,其中,该氦离子布植是利用光罩使该序化 区域成一预定规则图案。 13.依据申请专利范围第2项所述磁性记录装置的制 造方法,其中,该非磁元素离子布植之离子束是可 聚焦以直接绘制该非磁区域成一预定规则图案。 14.依据申请专利范围第2项所述磁性记录装置的制 造方法,其中,该非磁元素离子布植是利用光罩使 该非磁区域成一预定规则图案。 图式简单说明: 图1是一习知磁性记录装置的示意图,并说明该磁 性记录装置之一磁性纪录层未经退火过程时的原 子堆积状态; 图2是一磁滞曲线图,说明图1之磁性纪录装置之一 磁性记录层未经退火过程而呈非序化相的磁性状 态; 图3一示意图,说明图1之磁性记录装置之磁性记录 层经过退火过程后的原子堆积状态; 图4是一磁滞曲线图,说明图3之磁性纪录装置之一 磁性记录层经过退火过程后而呈序化相的磁性状 态; 图5是一流程图,说明本发明磁性记录装置的制造 方法的一较佳实施例; 图6是一示意图,说明以图5本发明磁性记录装置的 制造方法所制造出的磁性记录装置; 图7是一磁滞曲线图,说明图6之磁性纪录装置之一 磁性记录层的一非磁区域的磁性状态; 图8是一磁滞曲线图,验证图6之磁性纪录装置的磁 性状态与习知以退火过程制造之磁性记录装置的 磁性状态; 图9是一X-ray扫描结果,验证图6之磁性纪录装置的 磁性状态与习知以退火过程制造之磁性记录装置 的晶格结构; 图10是一实验验证结果,说明氦离子束电流与序化 程度、矫顽磁场之关系; 图11是一实验验证结果,说明氦离子束电流为2A/ cm2时,铁、铂原子序化程度、矫顽磁场与离子束剂 量的关系; 图12是一实验验证结果,说明氦离子束电流为6A/ cm2时,铁、铂原子序化程度、矫顽磁场与离子束剂 量的关系;及 图13是一实验验证结果,说明非磁性元素离子束剂 量与非磁区域磁性质之关系。
地址 新竹市光复路2段101号
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