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发明名称
覆晶堆叠封装构造及其制造方法
摘要
一种覆晶堆叠封装构造包含一第一覆晶封装构造,其具有一第一基板与一第一半导体晶片以覆晶方式设置于该第一基板上;及一第二覆晶封装构造,其具有一第二基板与一第二半导体晶片以覆晶方式设置于该第二基板上;其中该第一半导体晶片与该第二半导体晶片系藉由复数个金属凸块而相面对地相互连接,使该第一/二覆晶封装构造系倒置堆叠于该第二/一覆晶封装构造上,藉以形成一具有低厚度的堆叠式覆晶封装构造。本发明另提供一种制造覆晶堆叠封装构造之方法。
申请公布号
TW200707773
申请公布日期
2007.02.16
申请号
TW094126910
申请日期
2005.08.09
申请人
日月光半导体制造股份有限公司
发明人
赖逸少;蔡宗岳
分类号
H01L31/0203(2006.01)
主分类号
H01L31/0203(2006.01)
代理机构
代理人
花瑞铭
主权项
地址
高雄市楠梓加工出口区经三路26号
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