| 发明名称 | 半导体装置的制法、电子仪器的制法和半导体制造装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能减轻对基板的热负荷，能进行大面积的基板的热处理的半导体装置的制造方法。此外，提高热处理温度的均一性，提高形成的半导体装置的特性。在基板上形成硅膜，在通过用以氢和氧的混合气体作为燃料的气体喷燃器(22)的火焰对该硅膜进行扫描，从而进行热处理的工序中，气体喷燃器(22)的火焰F为大致直线状。结果，热处理温度的均一性提高，减少硅膜的结晶率的偏移，能提高形成的半导体装置的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN101162687A | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
| 申请号 | CN200710180102.6 | 申请日期 | 2007.10.10 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 佐藤充;宇都宫纯夫 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/324(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括：在基板上形成第一膜的步骤；通过用以氢和氧的混合气体为燃料的气体喷燃器的火焰对所述第一膜进行扫描，从而进行热处理的步骤；所述气体喷燃器的火焰为大致直线状。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||