发明名称 高频调变之表面发射式半导体雷射
摘要 一种表面发射式半导体雷射,其包括:半导体晶片(1);第一共振器镜面(4)和至少另一共振器镜面(8),其配置在半导体晶片(1)外部且与第一共振器镜面(4)形成一种共振器长度L之雷射共振器;以及一泵送式雷射(10),其将具有泵功率之泵辐射(14)入射至半导体晶片(1)中,以便以光学方式来泵送此半导体雷射(1),其中泵功率以一种调变频率fP来调变且雷射共振器具有一种共振器长度L,其可依据此调变频率fP来调整。
申请公布号 TW200715678 申请公布日期 2007.04.16
申请号 TW095135299 申请日期 2006.09.25
申请人 欧斯朗奥托半导体股份有限公司 发明人 约西普马瑞克;尤瑞屈史提格慕勒;汤玛斯休瓦兹;麦可库内特
分类号 H01S5/183(2006.01) 主分类号 H01S5/183(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂;林荣琳
主权项
地址 德国
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