Method for fabricating a thin film transistor

摘要

Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Dünnschichttransistoren mit einer Halbleiterschicht aus amorphem Silizium und Drain- und Source-Kontakten aus n-dotiertem amorphem Silizium vorgeschlagen, wobei zwischen die Halbleiterschicht und die n-dotierte amorphe Siliziumschicht für die Drain- und Source-Kontakte eine Ätzstoppschicht aus einem halbleitenden Material aufgebracht wird. <IMAGE>