发明名称 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 본 발명의 목적은 샤워 헤드를 이용한 장치에서도 높은 가동 효율을 유지 가능하도록 하는 것이다.상기 과제를 해결하기 위해서, 원료 가스원에 접속되고, 원료 가스 공급 제어부가 설치되는 제1 가스 공급관을 포함하는 제1 가스 공급계; 반응 가스원에 접속되고, 반응 가스 공급 제어부가 설치되는 제2 가스 공급관을 포함하는 제2 가스 공급계; 클리닝 가스원에 접속되고, 클리닝 가스 공급 제어부가 설치되는 제3 가스 공급관을 포함하는 제3 가스 공급계; 상기 제1 가스 공급계, 상기 제2 가스 공급계 및 상기 제3 가스 공급계에 접속되는 버퍼실 및 상기 버퍼실의 하류측에 설치된 분산판을 포함하는 샤워 헤드부; 상기 분산판의 하류측에 설치되고, 전기적으로 그라운드에 접속되는 기판 재치부; 상기 기판 재치부를 수용하는 처리실; 상기 버퍼실 내의 플라즈마 생성과 상기 처리실 내의 플라즈마 생성 사이를 전환하는 스위치 및 전원을 포함하는 플라즈마 생성부; 및 적어도 상기 원료 가스 공급 제어부, 상기 반응 가스 공급 제어부 및 적어도 상기 원료 가스 공급 제어부, 상기 반응 가스 공급 제어부, 상기 클리닝 가스 공급 제어부 및 상기 플라즈마 생성부를 제어하는 제어부;를 포함하고, 상기 제어부는, (a) 상기 처리실에 기판이 재치된 상태에서 상기 버퍼실을 개재하여 상기 원료 가스 및 상기 반응 가스 중 어느 하나를 상기 처리실에 공급하여 상기 기판을 처리하는 단계; (b) 상기 (a) 단계를 수행한 후에, 상기 샤워 헤드부에 설치되고 상기 버퍼실을 구성하는 벽과 절연되며 상기 버퍼실의 내벽의 표면적보다 작은 표면적으로 구성되는 가스 가이드와 상기 전원을 전기적으로 접속함과 함께 상기 분산판을 그라운드에 접속하고, 상기 전원으로부터 상기 가스 가이드에 소정의 전력을 공급하고, 상기 샤워 헤드부의 상기 가스 가이드와 상기 분산판 사이에 전위차가 존재하는 상태에서 상기 버퍼실에 클리닝 가스를 공급하여 클리닝 가스 플라즈마를 생성하여 상기 버퍼실을 클리닝하는 단계; 및 (c) 상기 전원과 상기 가스 가이드의 사이를 절단하고 상기 전원과 상기 분산판을 전기적으로 접속함과 함께, 상기 전원으로부터 상기 소정의 전력을 공급하고, 상기 분산판과 상기 기판 재치부 사이에 전위차가 존재하는 상태에서 상기 버퍼실을 개재하여 상기 처리실에 클리닝 가스를 공급하여 클리닝 가스 플라즈마를 생성하여 상기 처리실을 클리닝하는 단계;를 수행하고, 상기 (b) 단계의 처리 시간이 상기 (c) 단계의 처리 시간보다 짧도록 제어하는 기판 처리 장치를 제공한다.
申请公布号 KR101624605(B1) 申请公布日期 2016.06.07
申请号 KR20140035324 申请日期 2014.03.26
申请人 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 发明人 토요다 카즈유키;타카사키 타다시;아시하라 히로시;사노 아츠시;아카에 나오노리;야나이 히데히로
分类号 H01L21/02;H01L21/08;H01L21/205 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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