非挥发性浮置闸极记忆胞与非挥发性浮置闸极记忆胞的制造方法

摘要

本发明提供一种非挥发性浮置闸极记忆胞与非挥发性浮置闸极记忆胞的制造方法。上述非挥发性浮置闸极记忆胞包括一具有第一导电型的半导体基底。一第一区域位于半导体基底上，具有相异于该第一导电型的一第二导电型。一具有第二导电型的第二区域位于半导体基底上，与第一区域隔离。一通道区，连接第一区域与第二区域，做为电荷通道。一介电层设置于通道区上。一控制闸极设置于介电层上。一穿隧介电层设置于半导体基底与控制闸极上，以及两个电荷储存点于穿隧介电层上，彼此相隔离且位于控制闸极的侧壁相对的侧端上。

主权项

一种非挥发性浮置闸极记忆胞，包括：一具有一第一导电型的半导体基底；一第一区域位于该半导体基底上，具有相异于该第一导电型的一第二导电型；一具有该第二导电型的第二区域位于该半导体基底上，且与该第一区域隔离；一通道区，连接该第一区域与该第二区域，做为电荷通道；一介电层，设置于该通道区上；一控制闸极，设置于该介电层上；一穿隧介电层，设置于该半导体基底与该控制闸极上；以及退火氧化的氧化矽层设置于该穿隧介电层上，及两个复晶矽点彼此相隔离且位于该控制闸极的侧壁相对端。