金属电熔断器的结构

摘要

提供电子熔断器(电熔断器)的结构。一种未编程的电熔断器(100)包括：第一传导材料的过孔(120)，具有底部和侧壁，其中侧壁的一部分由传导衬垫(121)覆盖并且过孔的底部形成于电介质层(410)上面；以及第二传导材料的第一和第二传导路径(111，112)，形成于电介质层(410)上面而在侧壁经过并且仅经过过孔(120)传导地连接第一和第二传导路径。一种编程的电熔断器包括：过孔(120)；第一传导路径(111)，在过孔的第一侧并且被空部(122)从过孔的侧壁分离；以及第二传导路径(112)，在过孔(120)的第二不同侧并且经过过孔的侧壁与过孔传导接触。

主权项

一种半导体结构，包括：第一传导材料的过孔(120)，具有底部和侧壁，所述侧壁的至少一部分由传导衬垫(121，461)覆盖，所述过孔的所述底部直接形成于电介质层(410)上面；以及第二传导材料的第一(111)传导路径和第二(112)传导路径，形成于所述电介质层(410)上面，在所述侧壁处经过并且仅经过所述过孔(120)传导地连接所述第一传导路径和所述第二传导路径；其中至少所述第一传导路径的电导率大于在所述侧壁的所述部分处覆盖所述过孔(120)的所述传导衬垫(121)的电导率；其中所述侧壁的所述部分是在所述第一传导路径(111)与所述过孔(120)之间的侧壁；以及其中至少一个空部(122)在与所述侧壁的所述部分相邻的位置处存在于所述第一传导路径(111)以内，其中所述至少一个空部(122)由电迁移引起并且占用所述第一传导路径的截面的多于一半。