发明名称 |
直接在SiO<sub>2</sub>介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法 |
摘要 |
一种直接在SiO<sub>2</sub>介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法,包括:在衬底层上制备栅电极;在栅电极上制备SiO<sub>2</sub>介电层;在SiO<sub>2</sub>介电层上制备并五苯薄膜;和在并五苯薄膜上分别制备源电极和漏电极;在SiO<sub>2</sub>介电层上制备并五苯薄膜的步骤为:先用浓度5wt%~29wt%的氨水溶液超声清洗SiO<sub>2</sub>介电层;再采用真空蒸镀的方法在经超声清洗SiO<sub>2</sub>介电层沉积蒸镀并五苯薄膜,其沉积速度为0.001~0.04nm/s,真空度为1×10<sup>-5</sup>mbar~1×10<sup>-7</sup>mbar,温度为室温到60℃,沉积的并五苯薄膜厚度为30-100nm。该方法简单,安全和环保,且能获得高迁移率的晶体管。 |
申请公布号 |
CN101587940A |
申请公布日期 |
2009.11.25 |
申请号 |
CN200810111971.8 |
申请日期 |
2008.05.20 |
申请人 |
国家纳米科学中心 |
发明人 |
祁琼;江潮;余爱芳 |
分类号 |
H01L51/40(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/40(2006.01)I |
代理机构 |
北京泛华伟业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
王凤华 |
主权项 |
1.一种直接在SiO2介电层上制备并五苯薄膜晶体管的方法,包括:在衬底层上制备栅电极;在栅电极制备SiO2介电层;在SiO2介电层上制备并五苯薄膜;和在并五苯薄膜上分别制备源电极和漏电极;其特征在于,所述的在SiO2介电层上制备并五苯薄膜的步骤为:先用浓度5wt%~29wt%的氨水溶液超声清洗SiO2介电层;再采用真空蒸镀的方法在经氨水溶液清洗的SiO2介电层上蒸镀并五苯薄膜,其沉积速度为0.001~0.04nm/s,真空度为1×10-5mbar~1×10-7mbar,温度为室温到60℃,沉积的并五苯薄膜厚度为30-100nm。 |
地址 |
100190北京市海淀区中关村北一条11号 |